华硕发布 NitroPath DRAM 内存插槽技术，频率可提升至多 400MT/s

华硕最新推出的ROG和ROG Strix X870 (E) 主板，引入了全新的NitroPath DRAM技术。这一创新技术为高端DDR5内存主板提供了更出色的性能。

据悉， NitroPath DRAM技术通过独特的布局布线来提高内存速度，并优化了主板内部的信号通路以减少噪音干扰。这种尖端设计使得信号传输更加流畅，噪音和反射更少，因此采用该技术的主板上的内存频率可以增加至多额外400MT/s。此外，在负载较重的情况下，此设计还能提升系统的稳定性。

除此之外， NitroPath DRAM技术还提升了插槽的牢固程度。这使得内存槽具备更好的抗侧向力能力和保持力，同时也增加了对安装过程中产生的磨损的抵抗力。这对于需要升级或更换内存条的发烧友们来说具有明显价值。

目前，华硕已在两款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技术，即 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi。